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接近開(kāi)關(guān)技術(shù)發(fā)展飛快，接近開(kāi)關(guān)的新技術(shù)不斷涌現(xiàn)，使新型接近開(kāi)關(guān)更加小型化、高頻化、高效化，滿(mǎn)足了不同電子設(shè)備的需要。決定接近開(kāi)關(guān)體積的主要因素是電感、變壓器等磁性器件和平滑電容器。 接近開(kāi)關(guān)超小型化技術(shù)的主要措施有: 一改善元器件本身的性能。目前，供接近開(kāi)關(guān)使用的元器件獲得長(zhǎng)足的發(fā)展，一大批新器件、新材料正被廣泛采用。
二應(yīng)用組件化技術(shù)。所謂組件化技術(shù)，就是預(yù)先將電源中所需使用的DC-DC變換器、用于諧波電流抑制的功率因數(shù)改善電路、整流平滑電路以及靜噪濾波電路等部分分別制成微型或薄型組件，再根據(jù)用戶(hù)需要制作半成品電源，或根據(jù)用戶(hù)要求，和交流/直流前端電路配合，構(gòu)成適應(yīng)大功率輸出或多路輸出等用途的系統(tǒng)電源。隨著表面貼裝元器件(SMD)和表面貼裝技術(shù)(SMT)的進(jìn)一步發(fā)展，組件的裝連密度會(huì)更加提高，體積會(huì)進(jìn)一步縮小，電源也會(huì)隨之更加小型化。
三采用軟接近開(kāi)關(guān)方式。減小元器件體積另一個(gè)重要途徑就是提高接近開(kāi)關(guān)的工作頻率。但 PWM變換器接近開(kāi)關(guān)頻率提高時(shí)，不但有磁損耗，而且電路的損耗也會(huì)增大。PWM變換器接近開(kāi)關(guān)損失較大的原因主要是由于接近開(kāi)關(guān)器件的通斷都是強(qiáng)制性的。理想情況下，接近開(kāi)關(guān)器件的電壓、電流波形都是方波。但是，由于接近開(kāi)關(guān)器件又是非理想的，即開(kāi)和關(guān)不能瞬時(shí)完成，都需要一定的時(shí)間，接近開(kāi)關(guān)器件及與之相連接的元件都可能有些寄生參數(shù)而使接近開(kāi)關(guān)器件的電壓、電流波形不是方波。因此，在接近開(kāi)關(guān)過(guò)程中，產(chǎn)生了接近開(kāi)關(guān)器件的電壓、電流波形交登現(xiàn)象，從而產(chǎn)生了接近開(kāi)關(guān)損失。顯然，隨著頻率的增加，接近開(kāi)關(guān)損失在全部損失中所占比例也增加。當(dāng)頻率高到某一數(shù)值時(shí)，變換器效率會(huì)降低到不能允許的程度。采用軟接近開(kāi)關(guān)方式可以有效地降低伴隨著高頻化帶來(lái)的損耗。軟接近開(kāi)關(guān)方式包括零電流接近開(kāi)關(guān)方式、零電壓接近開(kāi)關(guān)方式及兩者兼用的方式。作為實(shí)現(xiàn)這種軟接近開(kāi)關(guān)方式的手段，有諧振型接近開(kāi)關(guān)技術(shù)和部分諧振型接近開(kāi)關(guān)技術(shù)，后者易于實(shí)現(xiàn)。 |
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